红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2002年
4期
49-52
,共4页
郭大刚%刘正堂%宋健全%耿东生
郭大剛%劉正堂%宋健全%耿東生
곽대강%류정당%송건전%경동생
GaP薄膜%射频磁控溅射%红外增透保护膜系%ZnS衬底
GaP薄膜%射頻磁控濺射%紅外增透保護膜繫%ZnS襯底
GaP박막%사빈자공천사%홍외증투보호막계%ZnS츤저
采用射频磁控溅射方法在ZnS衬底上制备了不同工艺参数下的GaP薄膜,并通过FTIR分析了工艺参数对GaP薄膜红外透过率的影响规律.利用优化后的工艺参数成功地制备了厚为10.5 μm的GaP膜,根据膜系设计结果制备了DLC/GaP膜系.实验表明,GaP厚膜与基体结合性能较好,光学性能亦有所改善;DLC/GaP膜系的红外增透效果良好,在8～11.5 μm波段平均透过率净增5.69%,足以满足8～11.5 μm增透要求.
採用射頻磁控濺射方法在ZnS襯底上製備瞭不同工藝參數下的GaP薄膜,併通過FTIR分析瞭工藝參數對GaP薄膜紅外透過率的影響規律.利用優化後的工藝參數成功地製備瞭厚為10.5 μm的GaP膜,根據膜繫設計結果製備瞭DLC/GaP膜繫.實驗錶明,GaP厚膜與基體結閤性能較好,光學性能亦有所改善;DLC/GaP膜繫的紅外增透效果良好,在8～11.5 μm波段平均透過率淨增5.69%,足以滿足8～11.5 μm增透要求.
채용사빈자공천사방법재ZnS츤저상제비료불동공예삼수하적GaP박막,병통과FTIR분석료공예삼수대GaP박막홍외투과솔적영향규률.이용우화후적공예삼수성공지제비료후위10.5 μm적GaP막,근거막계설계결과제비료DLC/GaP막계.실험표명,GaP후막여기체결합성능교호,광학성능역유소개선;DLC/GaP막계적홍외증투효과량호,재8～11.5 μm파단평균투과솔정증5.69%,족이만족8～11.5 μm증투요구.
