北京化工大学学报(自然科学版)
北京化工大學學報(自然科學版)
북경화공대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF CHEMICAL TECHNOLOGY
2002年
5期
75-78
,共4页
战可涛%线全刚%郑丰%梁勇%段雪
戰可濤%線全剛%鄭豐%樑勇%段雪
전가도%선전강%정봉%량용%단설
激光%制备%纳米%碳化硅
激光%製備%納米%碳化硅
격광%제비%납미%탄화규
以硅烷SiH4和乙烯C2H4为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积法(LICVD)制备了高纯、低团聚、近球形的理想纳米SiC粉体.用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比表面积(BET)等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%,平均粒径为20nm,晶体结构为β-SiC,粉体产率大于200g/h,粉体中氧含量低于1%,且主要是表面的吸附氧;从能量和反应气流量两个方面对粉体产率进行了理论分析,在此基础上推导出了粉体产率公式,与实际粉体产率基本一致.
以硅烷SiH4和乙烯C2H4為反應原料,採用激光誘導化學氣相沉積法(LICVD)製備瞭高純、低糰聚、近毬形的理想納米SiC粉體.用化學分析、X射線衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)及比錶麵積(BET)等分析測試手段對粉體進行瞭錶徵,結果錶明粉體中SiC含量高于98%,平均粒徑為20nm,晶體結構為β-SiC,粉體產率大于200g/h,粉體中氧含量低于1%,且主要是錶麵的吸附氧;從能量和反應氣流量兩箇方麵對粉體產率進行瞭理論分析,在此基礎上推導齣瞭粉體產率公式,與實際粉體產率基本一緻.
이규완SiH4화을희C2H4위반응원료,채용격광유도화학기상침적법(LICVD)제비료고순、저단취、근구형적이상납미SiC분체.용화학분석、X사선연사(XRD)、투사전자현미경(TEM)급비표면적(BET)등분석측시수단대분체진행료표정,결과표명분체중SiC함량고우98%,평균립경위20nm,정체결구위β-SiC,분체산솔대우200g/h,분체중양함량저우1%,차주요시표면적흡부양;종능량화반응기류량량개방면대분체산솔진행료이론분석,재차기출상추도출료분체산솔공식,여실제분체산솔기본일치.
