MOS器件加固技术的理论研究
MOS기건가고기술적이론연구
Theoretic Research of MOSFET Hardening Technology
  • 万方数据
    原子能科学技术 원자능과학기술
    ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2002年 3期 276-279 ,共4页

    罗尹虹%张正选%姜景和%姚育娟%何宝平%王桂珍%彭宏论

    라윤홍%장정선%강경화%요육연%하보평%왕계진%팽굉론

    抗辐射加固%掺杂浓度%辐照偏压%鸟嘴形状 抗輻射加固%摻雜濃度%輻照偏壓%鳥嘴形狀
    항복사가고%참잡농도%복조편압%조취형상
    对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响.分析得出,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度、降低辐照栅电压、减小鸟嘴斜率均将有助于降低寄生泄漏电流,提高抗辐射能力.
    대구유측향기생정체관적NMOSFET진행이유수치모의,탐토료참잡농도、복조편압이급조취형상3개관건삼수대우기건항총제량복사가고성능적영향.분석득출,증가조취화장양구하적참잡농도、강저복조책전압、감소조취사솔균장유조우강저기생설루전류,제고항복사능력.
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