高分子学报
高分子學報
고분자학보
ACTA POLYMERICA SINICA
2002年
2期
208-212
,共5页
金邦坤%季明荣%杨碚芳%何平笙
金邦坤%季明榮%楊碚芳%何平笙
금방곤%계명영%양배방%하평생
Langmuir-Blodgett(LB)膜%聚酰亚胺%SiC膜%XPS
Langmuir-Blodgett(LB)膜%聚酰亞胺%SiC膜%XPS
Langmuir-Blodgett(LB)막%취선아알%SiC막%XPS
用XPS对沉积在硅基片上的聚酰亚胺LB膜以及由它真空热解制备的SiC薄膜进行了研究, 并对其形成过程进行了跟踪分析.XPS结果显示聚酰亚胺LB膜结构均匀,质量良好;真空热解时,约在670℃时LB膜中的C与衬底Si反应形成SiC;Ar离子溅射深度俄歇谱表明所制备的SiC膜中Si和C浓度成梯度分布,说明SiC是由Si和C相互扩散反应形成的.
用XPS對沉積在硅基片上的聚酰亞胺LB膜以及由它真空熱解製備的SiC薄膜進行瞭研究, 併對其形成過程進行瞭跟蹤分析.XPS結果顯示聚酰亞胺LB膜結構均勻,質量良好;真空熱解時,約在670℃時LB膜中的C與襯底Si反應形成SiC;Ar離子濺射深度俄歇譜錶明所製備的SiC膜中Si和C濃度成梯度分佈,說明SiC是由Si和C相互擴散反應形成的.
용XPS대침적재규기편상적취선아알LB막이급유타진공열해제비적SiC박막진행료연구, 병대기형성과정진행료근종분석.XPS결과현시취선아알LB막결구균균,질량량호;진공열해시,약재670℃시LB막중적C여츤저Si반응형성SiC;Ar리자천사심도아헐보표명소제비적SiC막중Si화C농도성제도분포,설명SiC시유Si화C상호확산반응형성적.
