数据采集与处理
數據採集與處理
수거채집여처리
JOURNAL OF DATA ACQUISITION & PROCESSING
2001年
z1期
36-39
,共4页
陈开茅%陈源%傅济时%张伯蕊%朱美栋%乔永平%孙允希%武兰青
陳開茅%陳源%傅濟時%張伯蕊%硃美棟%喬永平%孫允希%武蘭青
진개모%진원%부제시%장백예%주미동%교영평%손윤희%무란청
电容瞬态%时间%乘积谱%深能级
電容瞬態%時間%乘積譜%深能級
전용순태%시간%승적보%심능급
传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C70固体/p-GaAs结构的深能级,结果发现C70固体膜中存在两个空穴陷阱,H1和H2,它们的能级分别为Ev+1.037 eV和Ev+0.856 eV,密度分别为8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2.
傳統的深能級電容瞬態譜(DLTS)是典型的微弱信號技術,它具有極高的靈敏度,能測量比基體原子濃度小9～10箇數量級的深能級雜質和缺陷.然而對于寬禁帶半導體(如固體C60(C70),GaN等)深能級的測量,這種測量方法將麵臨高溫測量的睏難.本文提齣的電容瞬態時間乘積譜(ICTTS),可以在室溫附近測量很深的深能級,併達到和傳統DLTS相近的靈敏度.文中用這一方法研究瞭Ti/C70固體/p-GaAs結構的深能級,結果髮現C70固體膜中存在兩箇空穴陷阱,H1和H2,它們的能級分彆為Ev+1.037 eV和Ev+0.856 eV,密度分彆為8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2.
전통적심능급전용순태보(DLTS)시전형적미약신호기술,타구유겁고적령민도,능측량비기체원자농도소9～10개수량급적심능급잡질화결함.연이대우관금대반도체(여고체C60(C70),GaN등)심능급적측량,저충측량방법장면림고온측량적곤난.본문제출적전용순태시간승적보(ICTTS),가이재실온부근측량흔심적심능급,병체도화전통DLTS상근적령민도.문중용저일방법연구료Ti/C70고체/p-GaAs결구적심능급,결과발현C70고체막중존재량개공혈함정,H1화H2,타문적능급분별위Ev+1.037 eV화Ev+0.856 eV,밀도분별위8.6×1011/cm2화6.5×1010/cm2.
