稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2001年
6期
401-403,410
,共4页
柴春林%杨少延%刘志凯%廖梅勇%陈诺夫%王占国
柴春林%楊少延%劉誌凱%廖梅勇%陳諾伕%王佔國
시춘림%양소연%류지개%료매용%진낙부%왕점국
双离子束%CeO2/Si薄膜%生长
雙離子束%CeO2/Si薄膜%生長
쌍리자속%CeO2/Si박막%생장
利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度(400℃)下对 CeO2(111)/Si(100) 薄膜的生长进行了研究.两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响,较高能量(300 eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长.在 400℃时,制备了 CeO2(111)/Si(100) 单晶薄膜.
利用一種全新的薄膜生長技術-質量分離的雙離子束沉積技術,在較低溫度(400℃)下對 CeO2(111)/Si(100) 薄膜的生長進行瞭研究.兩束離子的比例以及離子束的能量對薄膜的成分和晶體質量有很大影響,較高能量(300 eV)的離子束對薄膜有轟擊作用,併有助于薄膜的擇優取嚮生長.在 400℃時,製備瞭 CeO2(111)/Si(100) 單晶薄膜.
이용일충전신적박막생장기술-질량분리적쌍리자속침적기술,재교저온도(400℃)하대 CeO2(111)/Si(100) 박막적생장진행료연구.량속리자적비례이급리자속적능량대박막적성분화정체질량유흔대영향,교고능량(300 eV)적리자속대박막유굉격작용,병유조우박막적택우취향생장.재 400℃시,제비료 CeO2(111)/Si(100) 단정박막.
