原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
1999年
4期
340-342
,共3页
汤学峰%顾牡%吴广明%张力%祁金林%童宏勇%乔轶%陈玲燕
湯學峰%顧牡%吳廣明%張力%祁金林%童宏勇%喬軼%陳玲燕
탕학봉%고모%오엄명%장력%기금림%동굉용%교질%진령연
Sn衰减膜%质量厚度%表面均匀性%表面氧化
Sn衰減膜%質量厚度%錶麵均勻性%錶麵氧化
Sn쇠감막%질량후도%표면균균성%표면양화
采用磁控溅射方法制备了Sn衰减膜.应用真空α能谱测厚仪和α-step 100台阶仪分别测得Sn衰减膜的质量厚度为450.3 μg/cm2,表面不均匀性＜3 %.质量厚度和表面均匀性的测试结果均符合软X光激光实验的要求.利用俄歇电子能谱对Sn膜表面杂质及表面氧化情况并结合Ar离子束刻蚀对氧含量深度分布情况进行了分析.分析结果表明:Sn膜暴露在空气中而氧化生成一定厚度的氧化层,其主要成分是SnO2和Sn2O3.
採用磁控濺射方法製備瞭Sn衰減膜.應用真空α能譜測厚儀和α-step 100檯階儀分彆測得Sn衰減膜的質量厚度為450.3 μg/cm2,錶麵不均勻性＜3 %.質量厚度和錶麵均勻性的測試結果均符閤軟X光激光實驗的要求.利用俄歇電子能譜對Sn膜錶麵雜質及錶麵氧化情況併結閤Ar離子束刻蝕對氧含量深度分佈情況進行瞭分析.分析結果錶明:Sn膜暴露在空氣中而氧化生成一定厚度的氧化層,其主要成分是SnO2和Sn2O3.
채용자공천사방법제비료Sn쇠감막.응용진공α능보측후의화α-step 100태계의분별측득Sn쇠감막적질량후도위450.3 μg/cm2,표면불균균성＜3 %.질량후도화표면균균성적측시결과균부합연X광격광실험적요구.이용아헐전자능보대Sn막표면잡질급표면양화정황병결합Ar리자속각식대양함량심도분포정황진행료분석.분석결과표명:Sn막폭로재공기중이양화생성일정후도적양화층,기주요성분시SnO2화Sn2O3.
