微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2005年
5期
224-226
,共3页
李静%冯倩%何秀坤%汝琼娜%周智慧
李靜%馮倩%何秀坤%汝瓊娜%週智慧
리정%풍천%하수곤%여경나%주지혜
扫描电子显微镜%光荧光谱仪%生长气氛%缓冲层%掺杂
掃描電子顯微鏡%光熒光譜儀%生長氣氛%緩遲層%摻雜
소묘전자현미경%광형광보의%생장기분%완충층%참잡
通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响.实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌.n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高,黄带峰的发光强度反而下降.
通過掃描電子顯微鏡和室溫光熒光譜儀研究瞭生長氣氛、緩遲層厚度、摻雜濃度不同對GaN薄膜髮光特性的影響.實驗證明,緩遲層可以較好地改善外延膜的結構和錶麵形貌.n型GaN薄膜的光熒光譜圖顯示,主峰的積分彊度隨著摻硅濃度的增高而增高,黃帶峰的髮光彊度反而下降.
통과소묘전자현미경화실온광형광보의연구료생장기분、완충층후도、참잡농도불동대GaN박막발광특성적영향.실험증명,완충층가이교호지개선외연막적결구화표면형모.n형GaN박막적광형광보도현시,주봉적적분강도수착참규농도적증고이증고,황대봉적발광강도반이하강.
