电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
8期
19-21
,共3页
陈洪存%臧国忠%王矜奉%苏文斌%王春明%亓鹏
陳洪存%臧國忠%王矜奉%囌文斌%王春明%亓鵬
진홍존%장국충%왕긍봉%소문빈%왕춘명%기붕
电子技术%氧化锌%压敏电阻%电学非线性%残压比
電子技術%氧化鋅%壓敏電阻%電學非線性%殘壓比
전자기술%양화자%압민전조%전학비선성%잔압비
采用传统陶瓷工艺制备了MgSiO3掺杂的防雷用ZnO压敏电阻.实验发现,掺杂0.04%的MgSiO3(物质的量)能显著提高其电流–电压非线性、通流能力和电压梯度E1.0,且能降低样品的漏电流IL以及残压比V40kA/V1mA.其非线性系数α和压敏电压梯度分别高达120,180 V/mm,样品正反面各五次通流40 kA、8/20μs波后,残压比和压敏电压变化率△V1mA/V1mA分别仅为2.56和-2.9%,且漏电流变化很小.对样品的微观结构分析显示,其电学性能的提高和晶粒的均匀程度有关.
採用傳統陶瓷工藝製備瞭MgSiO3摻雜的防雷用ZnO壓敏電阻.實驗髮現,摻雜0.04%的MgSiO3(物質的量)能顯著提高其電流–電壓非線性、通流能力和電壓梯度E1.0,且能降低樣品的漏電流IL以及殘壓比V40kA/V1mA.其非線性繫數α和壓敏電壓梯度分彆高達120,180 V/mm,樣品正反麵各五次通流40 kA、8/20μs波後,殘壓比和壓敏電壓變化率△V1mA/V1mA分彆僅為2.56和-2.9%,且漏電流變化很小.對樣品的微觀結構分析顯示,其電學性能的提高和晶粒的均勻程度有關.
채용전통도자공예제비료MgSiO3참잡적방뢰용ZnO압민전조.실험발현,참잡0.04%적MgSiO3(물질적량)능현저제고기전류–전압비선성、통류능력화전압제도E1.0,차능강저양품적루전류IL이급잔압비V40kA/V1mA.기비선성계수α화압민전압제도분별고체120,180 V/mm,양품정반면각오차통류40 kA、8/20μs파후,잔압비화압민전압변화솔△V1mA/V1mA분별부위2.56화-2.9%,차루전류변화흔소.대양품적미관결구분석현시,기전학성능적제고화정립적균균정도유관.
