GaN HEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨
GaN HEMT책원여책루표면태여전류붕탑상관성탐토
Comparison of the Gate-Drain and Gate-Source Effects of GaN HEMT on Current Collapse
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2006年 6期 270-272,283 ,共4页

    靳翀%卢盛辉%杜江锋%罗谦%周伟%夏建新%杨谟华

    근충%로성휘%두강봉%라겸%주위%하건신%양모화

    电流崩塌%串联电阻%氮化镓高电子迁移率晶体管%表面态 電流崩塌%串聯電阻%氮化鎵高電子遷移率晶體管%錶麵態
    전류붕탑%천련전조%담화가고전자천이솔정체관%표면태
    基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异.研究表明:在脉冲测试条件下,Rs增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大.该实验结果可望通过RD与Rs表征研究导致GaN HEMT电流崩塌的表面态变化.
    기우실험측시수거,종합분석료책원、책루천련전조증대후전류붕탑I-V곡선변화차이.연구표명:재맥충측시조건하,Rs증대,책하구도개계정도감약,루전류ID변소;RD증대,책하구도루단등효루전압감소,슬전압VKNEE변대.해실험결과가망통과RD여Rs표정연구도치GaN HEMT전류붕탑적표면태변화.
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