汕头大学学报(自然科学版)
汕頭大學學報(自然科學版)
산두대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SHANTOU UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE EDITION)
2003年
2期
35-39
,共5页
邱春文%陈雄文%石旺舟%欧阳艳东
邱春文%陳雄文%石旺舟%歐暘豔東
구춘문%진웅문%석왕주%구양염동
氮化硅薄膜%射频磁控反应溅射%红外吸收光谱
氮化硅薄膜%射頻磁控反應濺射%紅外吸收光譜
담화규박막%사빈자공반응천사%홍외흡수광보
采用射频(RF)磁控反应溅射法制备出氮化硅薄膜.从红外吸收光谱可见,氮气参加了反应并生成Si-N键,薄膜中含有少量的Si-O键和Si-H键;薄膜的成分与制备过程中基片温度、射频功率等工艺参数密切相关,当基片温度升高到400℃时,薄膜中基本不再含Si-H键,氮化硅薄膜的纯度得到提高.
採用射頻(RF)磁控反應濺射法製備齣氮化硅薄膜.從紅外吸收光譜可見,氮氣參加瞭反應併生成Si-N鍵,薄膜中含有少量的Si-O鍵和Si-H鍵;薄膜的成分與製備過程中基片溫度、射頻功率等工藝參數密切相關,噹基片溫度升高到400℃時,薄膜中基本不再含Si-H鍵,氮化硅薄膜的純度得到提高.
채용사빈(RF)자공반응천사법제비출담화규박막.종홍외흡수광보가견,담기삼가료반응병생성Si-N건,박막중함유소량적Si-O건화Si-H건;박막적성분여제비과정중기편온도、사빈공솔등공예삼수밀절상관,당기편온도승고도400℃시,박막중기본불재함Si-H건,담화규박막적순도득도제고.
