物理学报
物理學報
물이학보
2003年
10期
2558-2562
,共5页
宋淑芳%周生强%陈维德%朱建军%陈长勇%许振嘉
宋淑芳%週生彊%陳維德%硃建軍%陳長勇%許振嘉
송숙방%주생강%진유덕%주건군%진장용%허진가
GaN%Er%离子束分析%光致发光
GaN%Er%離子束分析%光緻髮光
GaN%Er%리자속분석%광치발광
采用背散射(RBS)/沟道(channeling)分析和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光(PL)特性.背散射/沟道分析结果表明:随退火温度的升高,薄膜中辐照损伤减少;但当退火温度达到1000℃,薄膜中的缺陷又明显增加.Er浓度随注入深度呈现高斯分布.通过沿GaN的<0001>轴方向的沟道分析,对于900℃,30min退火的GaN:Er样品,Er在晶格中的替位率约76%.光谱研究表明:随退火温度的升高,室温下样品的红外PL峰强度增加;但是当退火温度达到1000℃,样品的PL峰强度明显下降;测量温度从15K变化到300K时,样品(900℃,30min退火的GaN:Er)的1540nm处PL温度猝灭为30%.
採用揹散射(RBS)/溝道(channeling)分析和傅裏葉變換紅外光譜(FT-IR)研究瞭摻鉺GaN薄膜的晶體結構和光緻髮光(PL)特性.揹散射/溝道分析結果錶明:隨退火溫度的升高,薄膜中輻照損傷減少;但噹退火溫度達到1000℃,薄膜中的缺陷又明顯增加.Er濃度隨註入深度呈現高斯分佈.通過沿GaN的<0001>軸方嚮的溝道分析,對于900℃,30min退火的GaN:Er樣品,Er在晶格中的替位率約76%.光譜研究錶明:隨退火溫度的升高,室溫下樣品的紅外PL峰彊度增加;但是噹退火溫度達到1000℃,樣品的PL峰彊度明顯下降;測量溫度從15K變化到300K時,樣品(900℃,30min退火的GaN:Er)的1540nm處PL溫度猝滅為30%.
채용배산사(RBS)/구도(channeling)분석화부리협변환홍외광보(FT-IR)연구료참이GaN박막적정체결구화광치발광(PL)특성.배산사/구도분석결과표명:수퇴화온도적승고,박막중복조손상감소;단당퇴화온도체도1000℃,박막중적결함우명현증가.Er농도수주입심도정현고사분포.통과연GaN적<0001>축방향적구도분석,대우900℃,30min퇴화적GaN:Er양품,Er재정격중적체위솔약76%.광보연구표명:수퇴화온도적승고,실온하양품적홍외PL봉강도증가;단시당퇴화온도체도1000℃,양품적PL봉강도명현하강;측량온도종15K변화도300K시,양품(900℃,30min퇴화적GaN:Er)적1540nm처PL온도졸멸위30%.
