CAJ | 학술논문

我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
아문용열사보조MW ECRCVD계통,재열사온도분별위0、1350、1400、1450、1500、1600화1700℃시제비출a-Si:H박막.통과막후측정,홍외광보분석광、암전도측량등수단,분석료기침적속솔、광민성급광학대극적변화규률.결과표명침적속솔화박막질량균득도명현적제고,침적속솔초과3nm/s,광암전도지비제고도6×105.조도최가보조열사온도위1450℃.통과대대극치적분석,발현당대극치재1.6～1.7범위내시,박막궤호도구유105이상적광암전도지비.