纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2007年
4期
327-330
,共4页
刘爽%吴亚雷%许晓慧%文莉%黄文浩%褚家如
劉爽%吳亞雷%許曉慧%文莉%黃文浩%褚傢如
류상%오아뢰%허효혜%문리%황문호%저가여
铁电薄膜%电学性能%掺锡氧化铟%疲劳特性
鐵電薄膜%電學性能%摻錫氧化銦%疲勞特性
철전박막%전학성능%참석양화인%피로특성
用溶胶.凝胶工艺在掺锡氧化铟导电氧化物基底上制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.采用快速热处理工艺改进铁电薄膜的晶格取向,用X射线衍射仪分析了薄膜的结晶取向,分别基于Al/PZT/ITO,ITO/VZT/ITO电容结构利用Sawyer-Tower电路原理测试了薄膜的铁电性能.结果表明,在磁控溅射法生长的ITO表面能够制备出具有钙钛矿结构的(110)取向的FZT铁电薄膜,所得薄膜的相对介电常数达到1000,剩余极化强度P1达到和Pt基底上接近的15.2 uc/cm2,矫顽场强Ec达到70.8 kV/cm.并且利用TF Analyzer 2000铁电分析仪测试了PZT铁电薄膜的疲劳特性,发现ITO底电极上PZT薄膜经过108次反转后,剩余极化强度仅下降15%.研究表明:磁控溅射法制备的掺锡氧化铟透明导电薄膜ITO可以作为铁电薄膜的上下电极.
用溶膠.凝膠工藝在摻錫氧化銦導電氧化物基底上製備瞭鋯鈦痠鉛(PZT)鐵電薄膜.採用快速熱處理工藝改進鐵電薄膜的晶格取嚮,用X射線衍射儀分析瞭薄膜的結晶取嚮,分彆基于Al/PZT/ITO,ITO/VZT/ITO電容結構利用Sawyer-Tower電路原理測試瞭薄膜的鐵電性能.結果錶明,在磁控濺射法生長的ITO錶麵能夠製備齣具有鈣鈦礦結構的(110)取嚮的FZT鐵電薄膜,所得薄膜的相對介電常數達到1000,剩餘極化彊度P1達到和Pt基底上接近的15.2 uc/cm2,矯頑場彊Ec達到70.8 kV/cm.併且利用TF Analyzer 2000鐵電分析儀測試瞭PZT鐵電薄膜的疲勞特性,髮現ITO底電極上PZT薄膜經過108次反轉後,剩餘極化彊度僅下降15%.研究錶明:磁控濺射法製備的摻錫氧化銦透明導電薄膜ITO可以作為鐵電薄膜的上下電極.
용용효.응효공예재참석양화인도전양화물기저상제비료고태산연(PZT)철전박막.채용쾌속열처리공예개진철전박막적정격취향,용X사선연사의분석료박막적결정취향,분별기우Al/PZT/ITO,ITO/VZT/ITO전용결구이용Sawyer-Tower전로원리측시료박막적철전성능.결과표명,재자공천사법생장적ITO표면능구제비출구유개태광결구적(110)취향적FZT철전박막,소득박막적상대개전상수체도1000,잉여겁화강도P1체도화Pt기저상접근적15.2 uc/cm2,교완장강Ec체도70.8 kV/cm.병차이용TF Analyzer 2000철전분석의측시료PZT철전박막적피로특성,발현ITO저전겁상PZT박막경과108차반전후,잉여겁화강도부하강15%.연구표명:자공천사법제비적참석양화인투명도전박막ITO가이작위철전박막적상하전겁.
