半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
1期
49-51
,共3页
尧舜%丁鹏%张亮%张辉%曹银花%王智勇
堯舜%丁鵬%張亮%張輝%曹銀花%王智勇
요순%정붕%장량%장휘%조은화%왕지용
大功率半导体激光器%泵浦源%温度分布%结构优化
大功率半導體激光器%泵浦源%溫度分佈%結構優化
대공솔반도체격광기%빙포원%온도분포%결구우화
考虑大功率半导体激光bar外延结构中GaAs衬底热阻导致p、n面散热的非对称性,利用商用有限元软件Ansys对目前常用的DPSSL侧泵浦源亚封装子模块的散热性能进行了分析和结构优化,并根据优化结构实际制备出3 bar激光线阵泵浦源,其连续输出功率超过120 W,中心波长为807.7 nm,光谱宽度(FWHM)为2.8 nm.该数值分析结果对根据实际需要设计、封装出不同结构尺寸的大功率半导体激光泵浦源模块具有现实的指导意义.
攷慮大功率半導體激光bar外延結構中GaAs襯底熱阻導緻p、n麵散熱的非對稱性,利用商用有限元軟件Ansys對目前常用的DPSSL側泵浦源亞封裝子模塊的散熱性能進行瞭分析和結構優化,併根據優化結構實際製備齣3 bar激光線陣泵浦源,其連續輸齣功率超過120 W,中心波長為807.7 nm,光譜寬度(FWHM)為2.8 nm.該數值分析結果對根據實際需要設計、封裝齣不同結構呎吋的大功率半導體激光泵浦源模塊具有現實的指導意義.
고필대공솔반도체격광bar외연결구중GaAs츤저열조도치p、n면산열적비대칭성,이용상용유한원연건Ansys대목전상용적DPSSL측빙포원아봉장자모괴적산열성능진행료분석화결구우화,병근거우화결구실제제비출3 bar격광선진빙포원,기련속수출공솔초과120 W,중심파장위807.7 nm,광보관도(FWHM)위2.8 nm.해수치분석결과대근거실제수요설계、봉장출불동결구척촌적대공솔반도체격광빙포원모괴구유현실적지도의의.
