吉林师范大学学报（自然科学版）
吉林師範大學學報（自然科學版）
길림사범대학학보（자연과학판）
JILIN NORMAL UNIVERSITY JOURNAL（NATURAL SCIENCE EDITION）
2008年
3期
12-18
,共7页
半导体薄膜%MgxZn1-xO合金%p型掺杂%氮分压
半導體薄膜%MgxZn1-xO閤金%p型摻雜%氮分壓
반도체박막%MgxZn1-xO합금%p형참잡%담분압
采用不同氮分压(RN2)的氩气和氮气混和气体溅射Mg0.18Zn0.82O合金靶材,在石英衬底上生长了MgxZn1-xO(MgZnO)合金薄膜,研究了氮分压对薄膜组分、结构和光学、电学性质.结果表明:薄膜中的Mg含量(x)随着RN2的增加呈线性增加,导致其结构和光学带隙(Eg)随氮分压变化.Mg含量随氮分压的变化归因于:当氮分压增加时,与N反应形成NO2的O原子数目增加,导致与Mg、Zn反应的O原子数目减少.而Mg比Zn优先与剩下的O原子结合形成MgO,导致只有部分Zn能够跟O结合形成ZnO.未反应的Zn将以原子的形式沉积到衬底上继而因高的衬底温度发生二次蒸发离开衬底,导致薄膜中Zn含量减小,即Mg含量增大.当对由氮分压不为零制备的高阻MgZnO薄膜进行真空退火后,薄膜呈p型导电,说明这种p型导电与氮掺杂有关.本文讨论了Vegard定理用于估算MgZnO中Mg含量的正确表达式.
採用不同氮分壓(RN2)的氬氣和氮氣混和氣體濺射Mg0.18Zn0.82O閤金靶材,在石英襯底上生長瞭MgxZn1-xO(MgZnO)閤金薄膜,研究瞭氮分壓對薄膜組分、結構和光學、電學性質.結果錶明:薄膜中的Mg含量(x)隨著RN2的增加呈線性增加,導緻其結構和光學帶隙(Eg)隨氮分壓變化.Mg含量隨氮分壓的變化歸因于:噹氮分壓增加時,與N反應形成NO2的O原子數目增加,導緻與Mg、Zn反應的O原子數目減少.而Mg比Zn優先與剩下的O原子結閤形成MgO,導緻隻有部分Zn能夠跟O結閤形成ZnO.未反應的Zn將以原子的形式沉積到襯底上繼而因高的襯底溫度髮生二次蒸髮離開襯底,導緻薄膜中Zn含量減小,即Mg含量增大.噹對由氮分壓不為零製備的高阻MgZnO薄膜進行真空退火後,薄膜呈p型導電,說明這種p型導電與氮摻雜有關.本文討論瞭Vegard定理用于估算MgZnO中Mg含量的正確錶達式.
채용불동담분압(RN2)적아기화담기혼화기체천사Mg0.18Zn0.82O합금파재,재석영츤저상생장료MgxZn1-xO(MgZnO)합금박막,연구료담분압대박막조분、결구화광학、전학성질.결과표명:박막중적Mg함량(x)수착RN2적증가정선성증가,도치기결구화광학대극(Eg)수담분압변화.Mg함량수담분압적변화귀인우:당담분압증가시,여N반응형성NO2적O원자수목증가,도치여Mg、Zn반응적O원자수목감소.이Mg비Zn우선여잉하적O원자결합형성MgO,도치지유부분Zn능구근O결합형성ZnO.미반응적Zn장이원자적형식침적도츤저상계이인고적츤저온도발생이차증발리개츤저,도치박막중Zn함량감소,즉Mg함량증대.당대유담분압불위령제비적고조MgZnO박막진행진공퇴화후,박막정p형도전,설명저충p형도전여담참잡유관.본문토론료Vegard정리용우고산MgZnO중Mg함량적정학표체식.
