物理实验
物理實驗
물리실험
PHYSICS EXPERIMENTATION
2011年
2期
1-5
,共5页
GaN%纳米线%化学气相沉积法
GaN%納米線%化學氣相沉積法
GaN%납미선%화학기상침적법
在无催化剂辅助条件下,采用化学气相沉积法生长了GaN纳米线.通过调整衬底、NH3气流、生长时间等,实现了半导体GaN纳米线的生长以及形貌调控.用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表征.获得了合成GaN纳米线的优化条件.
在無催化劑輔助條件下,採用化學氣相沉積法生長瞭GaN納米線.通過調整襯底、NH3氣流、生長時間等,實現瞭半導體GaN納米線的生長以及形貌調控.用X射線衍射儀和掃描電子顯微鏡對產物的物相及形貌進行瞭錶徵.穫得瞭閤成GaN納米線的優化條件.
재무최화제보조조건하,채용화학기상침적법생장료GaN납미선.통과조정츤저、NH3기류、생장시간등,실현료반도체GaN납미선적생장이급형모조공.용X사선연사의화소묘전자현미경대산물적물상급형모진행료표정.획득료합성GaN납미선적우화조건.
