半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
6期
439-442
,共4页
胡玲%杨霏%商庆杰%潘宏菽
鬍玲%楊霏%商慶傑%潘宏菽
호령%양비%상경걸%반굉숙
低压化学气相淀积%正硅酸乙酯%碳化硅%微波功率器件%二氧化硅
低壓化學氣相澱積%正硅痠乙酯%碳化硅%微波功率器件%二氧化硅
저압화학기상정적%정규산을지%탄화규%미파공솔기건%이양화규
应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端.采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,又提高了器件的电性能和成品率,同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足.采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5dB左右,功率附加效率提升了近10%.
應用正硅痠乙酯(TEOS)LPCVD技術實現二氧化硅在SiC晶片錶麵的澱積,在一定程度上瀰補瞭SiC氧化層過薄和PECVD二氧化硅層過于疏鬆的弊耑.採用TEOS LPCVD技術與高溫氧化技術的閤理運用,既保證瞭氧化層介質的緻密性和與SiC晶片的粘附能力,又提高瞭器件的電性能和成品率,同時避免瞭為穫得一定厚度氧化層長時間高溫氧化的不足.採用此技術後,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的對比流片結果顯示微波性能也得到瞭明顯的提升,功率增益比原工藝提高瞭1.5dB左右,功率附加效率提升瞭近10%.
응용정규산을지(TEOS)LPCVD기술실현이양화규재SiC정편표면적정적,재일정정도상미보료SiC양화층과박화PECVD이양화규층과우소송적폐단.채용TEOS LPCVD기술여고온양화기술적합리운용,기보증료양화층개질적치밀성화여SiC정편적점부능력,우제고료기건적전성능화성품솔,동시피면료위획득일정후도양화층장시간고온양화적불족.채용차기술후,SiC심편적직류성품솔득도제고,미파공솔기건적대비류편결과현시미파성능야득도료명현적제승,공솔증익비원공예제고료1.5dB좌우,공솔부가효솔제승료근10%.
