微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
5期
729-732
,共4页
王永涛%库黎明%徐文婷%戴小林%肖清华%闫志瑞%周旗钢
王永濤%庫黎明%徐文婷%戴小林%肖清華%閆誌瑞%週旂鋼
왕영도%고려명%서문정%대소림%초청화%염지서%주기강
cusp磁场%直拉硅%氧浓度%数值模拟
cusp磁場%直拉硅%氧濃度%數值模擬
cusp자장%직랍규%양농도%수치모의
利用FEAMG-CZ软件,模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响.结果表明:随着0高斯面的下移,熔体中的最小氧浓度降低,而固液界面的氧浓度升高,且径向均匀性变差.分析表明,这与熔体自由表面处的Marangoni流有关,抑制该流动有利于熔体中氧的蒸发,从而在自由表面下获得更低氧浓度的熔体,但会阻碍自由表面下方低氧熔体往固液界面的输运.因此,推断当0高斯面位于熔体自由表面下某一位置时,固液界面氧浓度将达到最低.模拟中,该位置位于Hm=0～-0.01 m之间.
利用FEAMG-CZ軟件,模擬研究瞭cusp磁場對稱麵(定義為0高斯麵)與鎔體自由錶麵距離對直拉硅固液界麵氧濃度分佈的影響.結果錶明:隨著0高斯麵的下移,鎔體中的最小氧濃度降低,而固液界麵的氧濃度升高,且徑嚮均勻性變差.分析錶明,這與鎔體自由錶麵處的Marangoni流有關,抑製該流動有利于鎔體中氧的蒸髮,從而在自由錶麵下穫得更低氧濃度的鎔體,但會阻礙自由錶麵下方低氧鎔體往固液界麵的輸運.因此,推斷噹0高斯麵位于鎔體自由錶麵下某一位置時,固液界麵氧濃度將達到最低.模擬中,該位置位于Hm=0～-0.01 m之間.
이용FEAMG-CZ연건,모의연구료cusp자장대칭면(정의위0고사면)여용체자유표면거리대직랍규고액계면양농도분포적영향.결과표명:수착0고사면적하이,용체중적최소양농도강저,이고액계면적양농도승고,차경향균균성변차.분석표명,저여용체자유표면처적Marangoni류유관,억제해류동유리우용체중양적증발,종이재자유표면하획득경저양농도적용체,단회조애자유표면하방저양용체왕고액계면적수운.인차,추단당0고사면위우용체자유표면하모일위치시,고액계면양농도장체도최저.모의중,해위치위우Hm=0～-0.01 m지간.
