武汉大学学报(理学版)
武漢大學學報(理學版)
무한대학학보(이학판)
JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY(Natural Science Edition)
2003年
5期
613-616
,共4页
于国萍%易涛%魏正和%曾志峰
于國萍%易濤%魏正和%曾誌峰
우국평%역도%위정화%증지봉
氧化锡薄膜%射频溅射%退火%红外光谱
氧化錫薄膜%射頻濺射%退火%紅外光譜
양화석박막%사빈천사%퇴화%홍외광보
采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜,并在薄膜中掺杂Sb2O3 和Pt用于气敏薄膜的增敏.使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析,测量了薄膜的吸收光谱和电阻,并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响.结果表明,不同退火温度下处理的氧化锡薄膜均为金红石结构,退火温度对薄膜的晶粒尺寸和电阻有较大影响:退火温度愈高,薄膜中形成的晶粒越完整,晶化程度愈高;电阻率随着退火温度的升高而降低,考虑到气敏薄膜的敏感性能,本文选取1 100 ℃为最佳退火温度.由于掺杂的影响,在氧化锡的禁带中产生了杂质能级,使薄膜对2 722 nm附近的红外光波产生了强烈吸收.
採用射頻濺射法製備瞭SnO2氣敏薄膜,併在薄膜中摻雜Sb2O3 和Pt用于氣敏薄膜的增敏.使用XRD對製備的薄膜進行瞭結構分析,測量瞭薄膜的吸收光譜和電阻,併研究瞭薄膜工藝條件的改變對薄膜結構和性能的影響.結果錶明,不同退火溫度下處理的氧化錫薄膜均為金紅石結構,退火溫度對薄膜的晶粒呎吋和電阻有較大影響:退火溫度愈高,薄膜中形成的晶粒越完整,晶化程度愈高;電阻率隨著退火溫度的升高而降低,攷慮到氣敏薄膜的敏感性能,本文選取1 100 ℃為最佳退火溫度.由于摻雜的影響,在氧化錫的禁帶中產生瞭雜質能級,使薄膜對2 722 nm附近的紅外光波產生瞭彊烈吸收.
채용사빈천사법제비료SnO2기민박막,병재박막중참잡Sb2O3 화Pt용우기민박막적증민.사용XRD대제비적박막진행료결구분석,측량료박막적흡수광보화전조,병연구료박막공예조건적개변대박막결구화성능적영향.결과표명,불동퇴화온도하처리적양화석박막균위금홍석결구,퇴화온도대박막적정립척촌화전조유교대영향:퇴화온도유고,박막중형성적정립월완정,정화정도유고;전조솔수착퇴화온도적승고이강저,고필도기민박막적민감성능,본문선취1 100 ℃위최가퇴화온도.유우참잡적영향,재양화석적금대중산생료잡질능급,사박막대2 722 nm부근적홍외광파산생료강렬흡수.
