半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
5期
999-1004
,共6页
王彦刚%许铭真%谭长华%段小蓉
王彥剛%許銘真%譚長華%段小蓉
왕언강%허명진%담장화%단소용
衬底电流%软击穿%超薄栅氧化层%威布尔分布%变频光泵效应
襯底電流%軟擊穿%超薄柵氧化層%威佈爾分佈%變頻光泵效應
츤저전류%연격천%초박책양화층%위포이분포%변빈광빙효응
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软击穿后衬底电流与栅电压的关系.利用变频光泵效应讨论了超薄栅MOSFET低电压应力下衬底电流的来源,并解释了软击穿后衬底电流和栅电流之间的线性关系.
研究瞭在恆壓應力下超薄柵nMOSFET軟擊穿後的襯底電流特性.軟擊穿時間由襯底電流隨時間的弛豫特性和器件輸齣特性測量時鑑測的襯底電流突變確定.髮現軟擊穿時間的威佈爾斜率和襯底特徵擊穿電流隨溫度的升高而增大.用類滲流模型模擬瞭軟擊穿後襯底電流與柵電壓的關繫.利用變頻光泵效應討論瞭超薄柵MOSFET低電壓應力下襯底電流的來源,併解釋瞭軟擊穿後襯底電流和柵電流之間的線性關繫.
연구료재항압응력하초박책nMOSFET연격천후적츤저전류특성.연격천시간유츤저전류수시간적이예특성화기건수출특성측량시감측적츤저전류돌변학정.발현연격천시간적위포이사솔화츤저특정격천전류수온도적승고이증대.용류삼류모형모의료연격천후츤저전류여책전압적관계.이용변빈광빙효응토론료초박책MOSFET저전압응력하츤저전류적래원,병해석료연격천후츤저전류화책전류지간적선성관계.
