微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
7期
216-218
,共3页
刘鹏%李伟%叶双莉%任天令%刘理天
劉鵬%李偉%葉雙莉%任天令%劉理天
류붕%리위%협쌍리%임천령%류리천
巨磁电阻传感器%自旋阀%矫顽力%退火%单畴模型
巨磁電阻傳感器%自鏇閥%矯頑力%退火%單疇模型
거자전조전감기%자선벌%교완력%퇴화%단주모형
在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片.利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120 Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2 Oe以下.同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应.利用Matlab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致.所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系.
在硅片上製備結構為Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn頂釘扎自鏇閥薄膜,併最終製成瞭一組基于此自鏇閥結構的GMR磁傳感器芯片.利用弱磁場下的退火工藝,改變薄膜易磁化軸的方嚮,噹退火溫度為150℃、外加磁場為120 Oe時,GMR芯片的矯頑力可以降至0.2 Oe以下.同時建立瞭一種自鏇閥自由層的單疇模型,用以解釋這一退火效應.利用Matlab計算GMR芯片的Meff-H麯線,所得到的計算結果與實驗結果一緻.所以,自鏇閥自由層易磁化軸的方嚮與GMR磁傳感器的性能有著密切的關繫.
재규편상제비결구위Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta적IrMn정정찰자선벌박막,병최종제성료일조기우차자선벌결구적GMR자전감기심편.이용약자장하적퇴화공예,개변박막역자화축적방향,당퇴화온도위150℃、외가자장위120 Oe시,GMR심편적교완력가이강지0.2 Oe이하.동시건립료일충자선벌자유층적단주모형,용이해석저일퇴화효응.이용Matlab계산GMR심편적Meff-H곡선,소득도적계산결과여실험결과일치.소이,자선벌자유층역자화축적방향여GMR자전감기적성능유착밀절적관계.
