信息记录材料
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신식기록재료
INFORMATION RECORDING MATERIALS
2010年
3期
56-59
,共4页
浅掺杂n型锗薄膜%变温霍尔效应%禁带宽度%杂质电离能
淺摻雜n型鍺薄膜%變溫霍爾效應%禁帶寬度%雜質電離能
천참잡n형타박막%변온곽이효응%금대관도%잡질전리능
采用变温霍尔效应方法测量了浅掺杂n型锗薄膜的半导体电学特性.根据77K～400K温度范围内的变温霍尔效应测量,通过对实验数据曲线的分析,由lg(| RH |)-1/T曲线高温本征导电温区的斜率计算得到样品禁带宽度Eg=0.75eV,由lg(| RH | T3/4)-1/T低温杂质电离区的曲线斜率得到施主杂质电离能为Ei=0.012eV.
採用變溫霍爾效應方法測量瞭淺摻雜n型鍺薄膜的半導體電學特性.根據77K～400K溫度範圍內的變溫霍爾效應測量,通過對實驗數據麯線的分析,由lg(| RH |)-1/T麯線高溫本徵導電溫區的斜率計算得到樣品禁帶寬度Eg=0.75eV,由lg(| RH | T3/4)-1/T低溫雜質電離區的麯線斜率得到施主雜質電離能為Ei=0.012eV.
채용변온곽이효응방법측량료천참잡n형타박막적반도체전학특성.근거77K～400K온도범위내적변온곽이효응측량,통과대실험수거곡선적분석,유lg(| RH |)-1/T곡선고온본정도전온구적사솔계산득도양품금대관도Eg=0.75eV,유lg(| RH | T3/4)-1/T저온잡질전리구적곡선사솔득도시주잡질전리능위Ei=0.012eV.
