电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
7期
24-26,39
,共4页
陶国胜%陆春华%倪亚茹%许仲梓
陶國勝%陸春華%倪亞茹%許仲梓
도국성%륙춘화%예아여%허중재
银纳米粒子%核壳结构%二氧化硅%包裹
銀納米粒子%覈殼結構%二氧化硅%包裹
은납미입자%핵각결구%이양화규%포과
首先通过柠檬酸钠还原法制备了粒径分别约为20 nm和50 nm的银纳米颗粒.采用改进的St(o)ber法在银颗粒外面包裹二氧化硅,通过控制正硅酸四乙酯(TEOS)的滴加时间和滴加量控制壳层生长来制备Ag@SiO2核壳结构颗粒,采用TEM,红外、紫外-可见光光谱分析等方法系统表征了样品形貌、结构及光学性能.结果表明,采用上述方法成功制备了壳层厚度分别为16,22,60,69,79 am的核壳结构颗粒.光谱分析结果指出,该类核壳结构颗粒表面等离子共振吸收峰位对于分散介质相当敏感.
首先通過檸檬痠鈉還原法製備瞭粒徑分彆約為20 nm和50 nm的銀納米顆粒.採用改進的St(o)ber法在銀顆粒外麵包裹二氧化硅,通過控製正硅痠四乙酯(TEOS)的滴加時間和滴加量控製殼層生長來製備Ag@SiO2覈殼結構顆粒,採用TEM,紅外、紫外-可見光光譜分析等方法繫統錶徵瞭樣品形貌、結構及光學性能.結果錶明,採用上述方法成功製備瞭殼層厚度分彆為16,22,60,69,79 am的覈殼結構顆粒.光譜分析結果指齣,該類覈殼結構顆粒錶麵等離子共振吸收峰位對于分散介質相噹敏感.
수선통과저몽산납환원법제비료립경분별약위20 nm화50 nm적은납미과립.채용개진적St(o)ber법재은과립외면포과이양화규,통과공제정규산사을지(TEOS)적적가시간화적가량공제각층생장래제비Ag@SiO2핵각결구과립,채용TEM,홍외、자외-가견광광보분석등방법계통표정료양품형모、결구급광학성능.결과표명,채용상술방법성공제비료각층후도분별위16,22,60,69,79 am적핵각결구과립.광보분석결과지출,해류핵각결구과립표면등리자공진흡수봉위대우분산개질상당민감.
