半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
4期
249-253
,共5页
砷化镓%数模转换器%电离辐射剂量率%抗辐射%辐照机理
砷化鎵%數模轉換器%電離輻射劑量率%抗輻射%輻照機理
신화가%수모전환기%전리복사제량솔%항복사%복조궤리
通过分析砷化镓(GaAs)器件的电离辐射剂量率辐照机理和效应,结合电路结构,描述了砷化镓10 bit数模转换器(DAC)的电离辐射剂量率辐射效应、抗辐射设计和辐照实验.在电路设计上,10 bit DAC由两个5 bit DAC组成,通过芯片内部合成10 bit DAC,有效降低了芯片面积和制造工艺难度；通过分析电路的电离辐射剂量率辐射效应,针对敏感电路进行局部电路的抗辐射设计,提高电路抗辐射能力；结合实验条件和器件引线分布,设计合理的辐照实验方案,开发辐照实验电路板,进行辐照实验,获得科学的实验结果,验证电路的抗辐射能力.实验结果表明该数模转换器能够抗3×1011rad (Si)/s剂量率的瞬时辐照.
通過分析砷化鎵(GaAs)器件的電離輻射劑量率輻照機理和效應,結閤電路結構,描述瞭砷化鎵10 bit數模轉換器(DAC)的電離輻射劑量率輻射效應、抗輻射設計和輻照實驗.在電路設計上,10 bit DAC由兩箇5 bit DAC組成,通過芯片內部閤成10 bit DAC,有效降低瞭芯片麵積和製造工藝難度；通過分析電路的電離輻射劑量率輻射效應,針對敏感電路進行跼部電路的抗輻射設計,提高電路抗輻射能力；結閤實驗條件和器件引線分佈,設計閤理的輻照實驗方案,開髮輻照實驗電路闆,進行輻照實驗,穫得科學的實驗結果,驗證電路的抗輻射能力.實驗結果錶明該數模轉換器能夠抗3×1011rad (Si)/s劑量率的瞬時輻照.
통과분석신화가(GaAs)기건적전리복사제량솔복조궤리화효응,결합전로결구,묘술료신화가10 bit수모전환기(DAC)적전리복사제량솔복사효응、항복사설계화복조실험.재전로설계상,10 bit DAC유량개5 bit DAC조성,통과심편내부합성10 bit DAC,유효강저료심편면적화제조공예난도；통과분석전로적전리복사제량솔복사효응,침대민감전로진행국부전로적항복사설계,제고전로항복사능력；결합실험조건화기건인선분포,설계합리적복조실험방안,개발복조실험전로판,진행복조실험,획득과학적실험결과,험증전로적항복사능력.실험결과표명해수모전환기능구항3×1011rad (Si)/s제량솔적순시복조.
