半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2004年
6期
426-429
,共4页
谢生%陈松岩%王水菊%何国荣%林爱清%陈朝
謝生%陳鬆巖%王水菊%何國榮%林愛清%陳朝
사생%진송암%왕수국%하국영%림애청%진조
直接键合%X-射线光电子谱%Ⅰ-Ⅴ特性%键合强度%探测器
直接鍵閤%X-射線光電子譜%Ⅰ-Ⅴ特性%鍵閤彊度%探測器
직접건합%X-사선광전자보%Ⅰ-Ⅴ특성%건합강도%탐측기
采用三步法在GaAs衬底上实现InP材料的键合,通过X-射线光电子谱(XPS)对样品键合界面进行化学价态和深度分布分析.结果表明,键合温度小于450℃时,样品界面主要由三维氢键网络组成;大于450℃时界面处发生互扩散,Ⅴ族元素主要在界面处富集,而Ⅲ族元素具有较深的扩散.因此提出界面层以InGaAs、InGaP为主,这种界面化学态的变化对样品的Ⅰ-Ⅴ特性和键合强度都具有实质意义的影响,同时由于异质结带阶的存在,要获得良好的电学性质和强度,键合温度并不是越高越好,而是存在一个最佳温度.最后,在GaAs衬底上成功地键合了InGaAs/InP光电探测器.
採用三步法在GaAs襯底上實現InP材料的鍵閤,通過X-射線光電子譜(XPS)對樣品鍵閤界麵進行化學價態和深度分佈分析.結果錶明,鍵閤溫度小于450℃時,樣品界麵主要由三維氫鍵網絡組成;大于450℃時界麵處髮生互擴散,Ⅴ族元素主要在界麵處富集,而Ⅲ族元素具有較深的擴散.因此提齣界麵層以InGaAs、InGaP為主,這種界麵化學態的變化對樣品的Ⅰ-Ⅴ特性和鍵閤彊度都具有實質意義的影響,同時由于異質結帶階的存在,要穫得良好的電學性質和彊度,鍵閤溫度併不是越高越好,而是存在一箇最佳溫度.最後,在GaAs襯底上成功地鍵閤瞭InGaAs/InP光電探測器.
채용삼보법재GaAs츤저상실현InP재료적건합,통과X-사선광전자보(XPS)대양품건합계면진행화학개태화심도분포분석.결과표명,건합온도소우450℃시,양품계면주요유삼유경건망락조성;대우450℃시계면처발생호확산,Ⅴ족원소주요재계면처부집,이Ⅲ족원소구유교심적확산.인차제출계면층이InGaAs、InGaP위주,저충계면화학태적변화대양품적Ⅰ-Ⅴ특성화건합강도도구유실질의의적영향,동시유우이질결대계적존재,요획득량호적전학성질화강도,건합온도병불시월고월호,이시존재일개최가온도.최후,재GaAs츤저상성공지건합료InGaAs/InP광전탐측기.
