低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2005年
3期
283-288
,共6页
谢仁艿%康琳%陈亚军%韦戌%吴培亨
謝仁艿%康琳%陳亞軍%韋戌%吳培亨
사인잉%강림%진아군%위술%오배형
体声波%谐振器%薄膜
體聲波%諧振器%薄膜
체성파%해진기%박막
体声波滤波器由于其低插损、小尺寸、高带外抑制等特性,随着第三代移动通信以及蓝牙技术的发展而得到广泛研究,而MEMS技术和压电薄膜制备技术的进一步发展使高性能的体声波滤波器制作成为可能. 我们以单晶MgO作为器件衬底,MgO/NbN多层结构作为AlN薄膜体声波器件的反射器,NbN/AlN/NbN三层结构为谐振器.在这样的多层结构的设计中由于各种材料之间的晶格失配小,可以获得从几十纳米到几百纳米厚度不等的单晶AlN薄膜.通过控制AlN薄膜和NbN薄膜的不同厚度,可以获得不同频段范围的谐振器. 压电薄膜的质量,以及体声波在多层结构界面上的能量损耗,直接影响到谐振器电学性能.基于AlN材料的压电性能,设计了NbN/AlN/NbN三层结构的谐振器,并进行了数值模拟.
體聲波濾波器由于其低插損、小呎吋、高帶外抑製等特性,隨著第三代移動通信以及藍牙技術的髮展而得到廣汎研究,而MEMS技術和壓電薄膜製備技術的進一步髮展使高性能的體聲波濾波器製作成為可能. 我們以單晶MgO作為器件襯底,MgO/NbN多層結構作為AlN薄膜體聲波器件的反射器,NbN/AlN/NbN三層結構為諧振器.在這樣的多層結構的設計中由于各種材料之間的晶格失配小,可以穫得從幾十納米到幾百納米厚度不等的單晶AlN薄膜.通過控製AlN薄膜和NbN薄膜的不同厚度,可以穫得不同頻段範圍的諧振器. 壓電薄膜的質量,以及體聲波在多層結構界麵上的能量損耗,直接影響到諧振器電學性能.基于AlN材料的壓電性能,設計瞭NbN/AlN/NbN三層結構的諧振器,併進行瞭數值模擬.
체성파려파기유우기저삽손、소척촌、고대외억제등특성,수착제삼대이동통신이급람아기술적발전이득도엄범연구,이MEMS기술화압전박막제비기술적진일보발전사고성능적체성파려파기제작성위가능. 아문이단정MgO작위기건츤저,MgO/NbN다층결구작위AlN박막체성파기건적반사기,NbN/AlN/NbN삼층결구위해진기.재저양적다층결구적설계중유우각충재료지간적정격실배소,가이획득종궤십납미도궤백납미후도불등적단정AlN박막.통과공제AlN박막화NbN박막적불동후도,가이획득불동빈단범위적해진기. 압전박막적질량,이급체성파재다층결구계면상적능량손모,직접영향도해진기전학성능.기우AlN재료적압전성능,설계료NbN/AlN/NbN삼층결구적해진기,병진행료수치모의.