稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2005年
7期
1073-1076
,共4页
石礼伟%李玉国%王强%薛成山%庄惠照
石禮偉%李玉國%王彊%薛成山%莊惠照
석례위%리옥국%왕강%설성산%장혜조
磁控共溅射%SiC纳米颗粒%微观结构%光致发光
磁控共濺射%SiC納米顆粒%微觀結構%光緻髮光
자공공천사%SiC납미과립%미관결구%광치발광
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性.结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中.以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心.
採用二氧化硅/碳化硅複閤靶,用射頻磁控共濺射技術和後高溫退火的方法在Si(111)襯底上製備瞭碳化硅納米顆粒/二氧化硅基質(nc-SiC/SiO2)鑲嵌結構薄膜材料,用X射線衍射(XRD),傅裏葉紅外吸收(FTIR),掃描電子顯微鏡(SEM)和光緻髮光(PL)實驗分析瞭薄膜的微結構以及光緻髮光特性.結果錶明:樣品薄膜經高溫退火後,部分無定形SiC髮生晶化,形成β-SiC納米顆粒而較均勻地鑲嵌在SiO2基質中.以280nm波長光激髮薄膜錶麵,有較彊的365 nm的紫外光髮射以及458 nm和490 nm處的藍光髮射,其髮光彊度隨退火溫度的升高顯著增彊,髮光歸結為薄膜中與Si-O相關的缺陷形成的髮光中心.
채용이양화규/탄화규복합파,용사빈자공공천사기술화후고온퇴화적방법재Si(111)츤저상제비료탄화규납미과립/이양화규기질(nc-SiC/SiO2)양감결구박막재료,용X사선연사(XRD),부리협홍외흡수(FTIR),소묘전자현미경(SEM)화광치발광(PL)실험분석료박막적미결구이급광치발광특성.결과표명:양품박막경고온퇴화후,부분무정형SiC발생정화,형성β-SiC납미과립이교균균지양감재SiO2기질중.이280nm파장광격발박막표면,유교강적365 nm적자외광발사이급458 nm화490 nm처적람광발사,기발광강도수퇴화온도적승고현저증강,발광귀결위박막중여Si-O상관적결함형성적발광중심.
