西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2011年
4期
6-10,48
,共6页
李伟华%杜磊%包军林%马中发
李偉華%杜磊%包軍林%馬中髮
리위화%두뢰%포군림%마중발
MOSFET%辐照损伤%1/f噪声%小波分析
MOSFET%輻照損傷%1/f譟聲%小波分析
MOSFET%복조손상%1/f조성%소파분석
用小波极大模统计参量研究了MOSFET器件辐照损伤低频噪声的时间序列.将辐照前后实验测量的低频噪声信号与数值模型产生的噪声信号统计特性相比较,发现nMOSFET和pMOSFET的低频噪声小波极大模统计结果均与随机电报噪声叠加模型数值信号的统计特性相接近.辐照前nMOSFET和pMOSFET的统计结果很接近,以致无法区分；辐照后两种器件的小波极大模分布出现明显差异.根据小波极大模统计量判断,随机电报噪声叠加是nMOSFET和pMOSFET低频噪声的主导产生机制,辐照并没有在器件中引入新的缺陷类型,而是使原有缺陷浓度增大,散射增强,辐照引起的nMOSFET损伤比pMOSFET严重.
用小波極大模統計參量研究瞭MOSFET器件輻照損傷低頻譟聲的時間序列.將輻照前後實驗測量的低頻譟聲信號與數值模型產生的譟聲信號統計特性相比較,髮現nMOSFET和pMOSFET的低頻譟聲小波極大模統計結果均與隨機電報譟聲疊加模型數值信號的統計特性相接近.輻照前nMOSFET和pMOSFET的統計結果很接近,以緻無法區分；輻照後兩種器件的小波極大模分佈齣現明顯差異.根據小波極大模統計量判斷,隨機電報譟聲疊加是nMOSFET和pMOSFET低頻譟聲的主導產生機製,輻照併沒有在器件中引入新的缺陷類型,而是使原有缺陷濃度增大,散射增彊,輻照引起的nMOSFET損傷比pMOSFET嚴重.
용소파겁대모통계삼량연구료MOSFET기건복조손상저빈조성적시간서렬.장복조전후실험측량적저빈조성신호여수치모형산생적조성신호통계특성상비교,발현nMOSFET화pMOSFET적저빈조성소파겁대모통계결과균여수궤전보조성첩가모형수치신호적통계특성상접근.복조전nMOSFET화pMOSFET적통계결과흔접근,이치무법구분；복조후량충기건적소파겁대모분포출현명현차이.근거소파겁대모통계량판단,수궤전보조성첩가시nMOSFET화pMOSFET저빈조성적주도산생궤제,복조병몰유재기건중인입신적결함류형,이시사원유결함농도증대,산사증강,복조인기적nMOSFET손상비pMOSFET엄중.
