固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
1期
68-72
,共5页
郁元卫%朱健%姜理利%施毅
鬱元衛%硃健%薑理利%施毅
욱원위%주건%강리리%시의
Ka波段%微机电系统移相器%毫米波微机电系统开关%开关线
Ka波段%微機電繫統移相器%毫米波微機電繫統開關%開關線
Ka파단%미궤전계통이상기%호미파미궤전계통개관%개관선
报道了一种Ka波段实时延MEMS移相器芯片.该移相器基于开关线式移相器设计原理,集成了4个MEMS三端口直接接触式毫米波开关单元,使用共面波导(CPW)传输线,利用阶梯阻抗的方式实现传输线拐角和CPW空气桥结构的传输线阻抗匹配.芯片采用RF MEMS表面牺牲层工艺制作在400 μm厚的高阻硅衬底上,面积为1.4 mm×2.8mm.测试显示,在34～36 GHz频率范围内,相移误差3.2°,插入损耗2 dB,反射损耗小于-15 dB.
報道瞭一種Ka波段實時延MEMS移相器芯片.該移相器基于開關線式移相器設計原理,集成瞭4箇MEMS三耑口直接接觸式毫米波開關單元,使用共麵波導(CPW)傳輸線,利用階梯阻抗的方式實現傳輸線枴角和CPW空氣橋結構的傳輸線阻抗匹配.芯片採用RF MEMS錶麵犧牲層工藝製作在400 μm厚的高阻硅襯底上,麵積為1.4 mm×2.8mm.測試顯示,在34～36 GHz頻率範圍內,相移誤差3.2°,插入損耗2 dB,反射損耗小于-15 dB.
보도료일충Ka파단실시연MEMS이상기심편.해이상기기우개관선식이상기설계원리,집성료4개MEMS삼단구직접접촉식호미파개관단원,사용공면파도(CPW)전수선,이용계제조항적방식실현전수선괴각화CPW공기교결구적전수선조항필배.심편채용RF MEMS표면희생층공예제작재400 μm후적고조규츤저상,면적위1.4 mm×2.8mm.측시현시,재34～36 GHz빈솔범위내,상이오차3.2°,삽입손모2 dB,반사손모소우-15 dB.
