表面技术
錶麵技術
표면기술
SURFACE TECHNOLOGY
2008年
3期
1-3,57
,共4页
徐以兵%何德良%周舟%钟建芳
徐以兵%何德良%週舟%鐘建芳
서이병%하덕량%주주%종건방
表面活性剂%铝合金%最佳沉积电位%硅烷膜%电化学沉积
錶麵活性劑%鋁閤金%最佳沉積電位%硅烷膜%電化學沉積
표면활성제%려합금%최가침적전위%규완막%전화학침적
采用交流阻抗技术研究了表面活性剂对不同条件下双-1,2-[3(三乙氧基)硅丙基]四硫化物硅烷在铝合金表面阴极电化学辅助沉积成膜的影响.研究表明:在硅烷溶液中加入表面活性剂进行改性,可降低硅烷在铝合金表面电化学沉积的阴极沉积电位,抑制硅烷沉积过程中的析H2作用,改善电极界面区域硅烷成膜环境.试验证明:硅烷溶液中表面活性剂的最佳改性浓度为0.03%,在此浓度下,铝合金表面硅烷阴极电沉积的最佳沉积电位为-1.6V.
採用交流阻抗技術研究瞭錶麵活性劑對不同條件下雙-1,2-[3(三乙氧基)硅丙基]四硫化物硅烷在鋁閤金錶麵陰極電化學輔助沉積成膜的影響.研究錶明:在硅烷溶液中加入錶麵活性劑進行改性,可降低硅烷在鋁閤金錶麵電化學沉積的陰極沉積電位,抑製硅烷沉積過程中的析H2作用,改善電極界麵區域硅烷成膜環境.試驗證明:硅烷溶液中錶麵活性劑的最佳改性濃度為0.03%,在此濃度下,鋁閤金錶麵硅烷陰極電沉積的最佳沉積電位為-1.6V.
채용교류조항기술연구료표면활성제대불동조건하쌍-1,2-[3(삼을양기)규병기]사류화물규완재려합금표면음겁전화학보조침적성막적영향.연구표명:재규완용액중가입표면활성제진행개성,가강저규완재려합금표면전화학침적적음겁침적전위,억제규완침적과정중적석H2작용,개선전겁계면구역규완성막배경.시험증명:규완용액중표면활성제적최가개성농도위0.03%,재차농도하,려합금표면규완음겁전침적적최가침적전위위-1.6V.
