核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2008年
6期
415-419
,共5页
朱伟忠%吴衍青%史沛熊%郭智%邰仁忠%徐洪杰
硃偉忠%吳衍青%史沛熊%郭智%邰仁忠%徐洪傑
주위충%오연청%사패웅%곽지%태인충%서홍걸
软X射线透射光栅%衍射效率%高级硅刻蚀%硅氧化工艺%严格耦合波方法%软X射线干涉光刻
軟X射線透射光柵%衍射效率%高級硅刻蝕%硅氧化工藝%嚴格耦閤波方法%軟X射線榦涉光刻
연X사선투사광책%연사효솔%고급규각식%규양화공예%엄격우합파방법%연X사선간섭광각
基于严格的矢量耦合波方法,对13.4nm(92.5eV)软X射线正入射于周期140nm的Si光栅和SiO2光栅的一级衍射效率进行了模拟计算,结果表明SiO2光栅的最大一级衍射效率远比Si光栅高,同时也比目前用于13.4nm软X射线干涉光刻的Cr/Si3N4复合光栅高.本文提出用高级硅刻蚀工艺和硅氧化工艺制作深高宽比纳米级SiO2光栅的新方法,可以解决直接刻蚀制作此光栅难度大的问题,适用于制作上海光源(SSRF)软X射线干涉光刻分束光栅.
基于嚴格的矢量耦閤波方法,對13.4nm(92.5eV)軟X射線正入射于週期140nm的Si光柵和SiO2光柵的一級衍射效率進行瞭模擬計算,結果錶明SiO2光柵的最大一級衍射效率遠比Si光柵高,同時也比目前用于13.4nm軟X射線榦涉光刻的Cr/Si3N4複閤光柵高.本文提齣用高級硅刻蝕工藝和硅氧化工藝製作深高寬比納米級SiO2光柵的新方法,可以解決直接刻蝕製作此光柵難度大的問題,適用于製作上海光源(SSRF)軟X射線榦涉光刻分束光柵.
기우엄격적시량우합파방법,대13.4nm(92.5eV)연X사선정입사우주기140nm적Si광책화SiO2광책적일급연사효솔진행료모의계산,결과표명SiO2광책적최대일급연사효솔원비Si광책고,동시야비목전용우13.4nm연X사선간섭광각적Cr/Si3N4복합광책고.본문제출용고급규각식공예화규양화공예제작심고관비납미급SiO2광책적신방법,가이해결직접각식제작차광책난도대적문제,괄용우제작상해광원(SSRF)연X사선간섭광각분속광책.
