湖南大学学报(自然科学版)
湖南大學學報(自然科學版)
호남대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF HUNAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCES EDITION)
2010年
7期
47-50
,共4页
肖特基势垒二极管%结终端扩展%模拟%击穿耐压%实验
肖特基勢壘二極管%結終耑擴展%模擬%擊穿耐壓%實驗
초특기세루이겁관%결종단확전%모의%격천내압%실험
结终端技术能提高4H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果一致性较好,实测此器件的反向电压值达2 000 V,接近理想击穿耐压88%,漏电流数值为0.1mA/cm2.
結終耑技術能提高4H-SiC肖特基勢壘二極管器件的耐壓性能.利用倣真軟件ISE-TCAD10.0對具有結終耑擴展JTE保護的4H-SiC SBD器件進行瞭倣真研究,併依據倣真優化好的參數試製瞭器件.實驗測試結果錶明,模擬優化結果與實驗測試器件的結果一緻性較好,實測此器件的反嚮電壓值達2 000 V,接近理想擊穿耐壓88%,漏電流數值為0.1mA/cm2.
결종단기술능제고4H-SiC초특기세루이겁관기건적내압성능.이용방진연건ISE-TCAD10.0대구유결종단확전JTE보호적4H-SiC SBD기건진행료방진연구,병의거방진우화호적삼수시제료기건.실험측시결과표명,모의우화결과여실험측시기건적결과일치성교호,실측차기건적반향전압치체2 000 V,접근이상격천내압88%,루전류수치위0.1mA/cm2.
