半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
11期
1075-1077,1125
,共4页
张松%席曦%李文佳%吴甲奇%顾晓峰%季静佳%李果华
張鬆%席晞%李文佳%吳甲奇%顧曉峰%季靜佳%李果華
장송%석희%리문가%오갑기%고효봉%계정가%리과화
真空蒸镀%膜厚%声阻抗%薄膜密度%酞菁铜薄膜
真空蒸鍍%膜厚%聲阻抗%薄膜密度%酞菁銅薄膜
진공증도%막후%성조항%박막밀도%태정동박막
基于目前采用的膜厚仪中缺少必要的有机材料的参数(密度和声阻抗),采用真空蒸镀法,在抛光硅片上蒸镀不同显示值厚度下的酞菁铜薄膜,利用椭偏仪测量其真实膜厚,并使用数学软件MATLAB,结合膜厚仪实时监控原理进行理论计算,拟合得到酞菁铜薄膜的参数--声阻抗Zf=0.01 g/cm3·s,薄膜密度Df=6.68 g/cm3.验证实验结果表明,此参数输入膜厚仪中可以比较精确地控制薄膜厚度,显示值和实际测量值的差距约为3 nm.
基于目前採用的膜厚儀中缺少必要的有機材料的參數(密度和聲阻抗),採用真空蒸鍍法,在拋光硅片上蒸鍍不同顯示值厚度下的酞菁銅薄膜,利用橢偏儀測量其真實膜厚,併使用數學軟件MATLAB,結閤膜厚儀實時鑑控原理進行理論計算,擬閤得到酞菁銅薄膜的參數--聲阻抗Zf=0.01 g/cm3·s,薄膜密度Df=6.68 g/cm3.驗證實驗結果錶明,此參數輸入膜厚儀中可以比較精確地控製薄膜厚度,顯示值和實際測量值的差距約為3 nm.
기우목전채용적막후의중결소필요적유궤재료적삼수(밀도화성조항),채용진공증도법,재포광규편상증도불동현시치후도하적태정동박막,이용타편의측량기진실막후,병사용수학연건MATLAB,결합막후의실시감공원리진행이론계산,의합득도태정동박막적삼수--성조항Zf=0.01 g/cm3·s,박막밀도Df=6.68 g/cm3.험증실험결과표명,차삼수수입막후의중가이비교정학지공제박막후도,현시치화실제측량치적차거약위3 nm.
