微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2012年
6期
360-368
,共9页
白杰%霍宗亮%刘璟%刘紫玉%张满红%杨建红%刘明
白傑%霍宗亮%劉璟%劉紫玉%張滿紅%楊建紅%劉明
백걸%곽종량%류경%류자옥%장만홍%양건홍%류명
电荷俘获存储器(CTM)%阻挡层%高k材料%隧穿%Al2O3
電荷俘穫存儲器(CTM)%阻擋層%高k材料%隧穿%Al2O3
전하부획존저기(CTM)%조당층%고k재료%수천%Al2O3
随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制.基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与基本要求,首先,指出单层SiO2作为阻挡层存在的主要问题,然后对高介电常数材料作为阻挡层时,其禁带宽度、介电常数、内部的缺陷密度以及退火工艺等方面对存储特性的影响进行了分析,同时对近年来研究较多的阻挡层能带工程进行了详细介绍,如SiO2和Al2O3的复合阻挡层结构、多层高介电常数材料的阻挡层结构等.最后,对目前研究进展中存在的问题以及未来的研究方向和趋势进行了总结和展望.
隨著非揮髮性存儲器(NVM)存儲單元的特徵呎吋進入20 nm節點,使用單層SiO2作為阻擋層的傳統電荷俘穫存儲器結構性能上逐漸受到限製.基于阻擋層在存儲器柵堆棧中的作用與基本要求,首先,指齣單層SiO2作為阻擋層存在的主要問題,然後對高介電常數材料作為阻擋層時,其禁帶寬度、介電常數、內部的缺陷密度以及退火工藝等方麵對存儲特性的影響進行瞭分析,同時對近年來研究較多的阻擋層能帶工程進行瞭詳細介紹,如SiO2和Al2O3的複閤阻擋層結構、多層高介電常數材料的阻擋層結構等.最後,對目前研究進展中存在的問題以及未來的研究方嚮和趨勢進行瞭總結和展望.
수착비휘발성존저기(NVM)존저단원적특정척촌진입20 nm절점,사용단층SiO2작위조당층적전통전하부획존저기결구성능상축점수도한제.기우조당층재존저기책퇴잔중적작용여기본요구,수선,지출단층SiO2작위조당층존재적주요문제,연후대고개전상수재료작위조당층시,기금대관도、개전상수、내부적결함밀도이급퇴화공예등방면대존저특성적영향진행료분석,동시대근년래연구교다적조당층능대공정진행료상세개소,여SiO2화Al2O3적복합조당층결구、다층고개전상수재료적조당층결구등.최후,대목전연구진전중존재적문제이급미래적연구방향화추세진행료총결화전망.
