信息与电子工程
信息與電子工程
신식여전자공정
INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING
2012年
3期
355-358
,共4页
单粒子翻转%单粒子瞬态%时序单元电路%抗辐射加固%超深亚微米集成电路
單粒子翻轉%單粒子瞬態%時序單元電路%抗輻射加固%超深亞微米集成電路
단입자번전%단입자순태%시서단원전로%항복사가고%초심아미미집성전로
针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC)出现的异常单粒子翻转现象,分析了导致异常翻转的机制,针对这种机制提出了2种解决方法,并给出了2种解决方法的适用范围.重离子试验结果表明,采用新方法实现的时序逻辑具备更高的翻转阈值和更低的翻转截面,基于新方法研制的ASIC产品的抗单粒子翻转能力得到显著提高.
針對某款超深亞微米專用集成電路(ASIC)齣現的異常單粒子翻轉現象,分析瞭導緻異常翻轉的機製,針對這種機製提齣瞭2種解決方法,併給齣瞭2種解決方法的適用範圍.重離子試驗結果錶明,採用新方法實現的時序邏輯具備更高的翻轉閾值和更低的翻轉截麵,基于新方法研製的ASIC產品的抗單粒子翻轉能力得到顯著提高.
침대모관초심아미미전용집성전로(ASIC)출현적이상단입자번전현상,분석료도치이상번전적궤제,침대저충궤제제출료2충해결방법,병급출료2충해결방법적괄용범위.중리자시험결과표명,채용신방법실현적시서라집구비경고적번전역치화경저적번전절면,기우신방법연제적ASIC산품적항단입자번전능력득도현저제고.
