大规模集成电路总剂量效应测试方法初探
대규모집성전로총제량효응측시방법초탐
Test methods of total dose effects in very large scale integrated circuits
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2004年 1期 194-199 ,共6页

    贺朝会%耿斌%何宝平%姚育娟%李永宏%彭宏论%林东生%周辉%陈雨生

    하조회%경빈%하보평%요육연%리영굉%팽굉론%림동생%주휘%진우생

    测试方法%总剂量效应%大规模集成电路 測試方法%總劑量效應%大規模集成電路
    측시방법%총제량효응%대규모집성전로
    提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法.在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理.给出了大规模集成电路:静态随机存取存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器(FLASH ROM)和微处理器(CPU)的60Co γ总剂量效应实验的结果.
    제출료초보적대규모집성전로총제량효응측시방법.재감측기건화전로공능삼수적동시,감측기건공모전류적변화정황,분석수거착오여기건공모전류변화적관계급기총제량효응궤리.급출료대규모집성전로:정태수궤존취존저기(SRAM)、전찰제전편정지독존저기(EEPROM)、섬속존저기(FLASH ROM)화미처리기(CPU)적60Co γ총제량효응실험적결과.
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