低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2005年
z1期
854-858
,共5页
王关生%许高杰%浦其荣%张建武%J.-C. GRIVEL%N.H. AMDERSEN%丁泽军
王關生%許高傑%浦其榮%張建武%J.-C. GRIVEL%N.H. AMDERSEN%丁澤軍
왕관생%허고걸%포기영%장건무%J.-C. GRIVEL%N.H. AMDERSEN%정택군
MgxB2%Jc%Hirr
MgxB2%Jc%Hirr
MgxB2%Jc%Hirr
我们用固相反应法成功合成了MgxB2(0.5≤x≤1.3)系列样品,并对其结构,临界电流密度(Jc)和不可逆场(Hirr)进行了研究.实验结果表明,随着x增大晶格常数a逐渐增大,而晶格常数c在x=0.9左右达到最大值.所有x>0.5的样品在零场下的Jc值都在106A/cm2左右.然而在高磁场下,Mg缺位的样品的Jc值要比Mg富足的样品的Jc值大.20K时,Mg0.8B2样品的不可逆场达到最大值5.2T,比MgB2样品要高出0.8T.研究表明,高磁场下Hirr和Jc的增大可能与MgB4纳米粒子的形成有关.
我們用固相反應法成功閤成瞭MgxB2(0.5≤x≤1.3)繫列樣品,併對其結構,臨界電流密度(Jc)和不可逆場(Hirr)進行瞭研究.實驗結果錶明,隨著x增大晶格常數a逐漸增大,而晶格常數c在x=0.9左右達到最大值.所有x>0.5的樣品在零場下的Jc值都在106A/cm2左右.然而在高磁場下,Mg缺位的樣品的Jc值要比Mg富足的樣品的Jc值大.20K時,Mg0.8B2樣品的不可逆場達到最大值5.2T,比MgB2樣品要高齣0.8T.研究錶明,高磁場下Hirr和Jc的增大可能與MgB4納米粒子的形成有關.
아문용고상반응법성공합성료MgxB2(0.5≤x≤1.3)계렬양품,병대기결구,림계전류밀도(Jc)화불가역장(Hirr)진행료연구.실험결과표명,수착x증대정격상수a축점증대,이정격상수c재x=0.9좌우체도최대치.소유x>0.5적양품재령장하적Jc치도재106A/cm2좌우.연이재고자장하,Mg결위적양품적Jc치요비Mg부족적양품적Jc치대.20K시,Mg0.8B2양품적불가역장체도최대치5.2T,비MgB2양품요고출0.8T.연구표명,고자장하Hirr화Jc적증대가능여MgB4납미입자적형성유관.
