物理学报
物理學報
물이학보
2007年
11期
6705-6711
,共7页
郭平生%陈婷%曹章轶%张哲娟%陈奕卫%孙卓
郭平生%陳婷%曹章軼%張哲娟%陳奕衛%孫卓
곽평생%진정%조장질%장철연%진혁위%손탁
化学气相沉积%场致发射%碳纳米管%扫描电子显微镜
化學氣相沉積%場緻髮射%碳納米管%掃描電子顯微鏡
화학기상침적%장치발사%탄납미관%소묘전자현미경
结合丝网印刷和过滤阴极真空电弧法、离子束溅射方法,在普通玻璃衬底上制备催化剂图案,采用低温热化学气相沉积法(CVD)生长碳纳米管/纤维 (CNTs)薄膜.研究了不同种类催化剂对CNTs薄膜生长及其场发射的影响. 结果表明,在a-C:Co,Ni-Cu和Cu三种催化剂上没有获得明显的CNTs,在外加电场小于4.4 V/μm时没有观察到场发射;而在Ni-Fe及Ni-Cr两种催化剂上获得了大量的CNTs,并且表现出良好的场发射性能,开启电场为2.5 V/μm.这种热CVD有简单、低温等优点,在CNTs场发射显示器的阴极制备中有潜在的应用价值.
結閤絲網印刷和過濾陰極真空電弧法、離子束濺射方法,在普通玻璃襯底上製備催化劑圖案,採用低溫熱化學氣相沉積法(CVD)生長碳納米管/纖維 (CNTs)薄膜.研究瞭不同種類催化劑對CNTs薄膜生長及其場髮射的影響. 結果錶明,在a-C:Co,Ni-Cu和Cu三種催化劑上沒有穫得明顯的CNTs,在外加電場小于4.4 V/μm時沒有觀察到場髮射;而在Ni-Fe及Ni-Cr兩種催化劑上穫得瞭大量的CNTs,併且錶現齣良好的場髮射性能,開啟電場為2.5 V/μm.這種熱CVD有簡單、低溫等優點,在CNTs場髮射顯示器的陰極製備中有潛在的應用價值.
결합사망인쇄화과려음겁진공전호법、리자속천사방법,재보통파리츤저상제비최화제도안,채용저온열화학기상침적법(CVD)생장탄납미관/섬유 (CNTs)박막.연구료불동충류최화제대CNTs박막생장급기장발사적영향. 결과표명,재a-C:Co,Ni-Cu화Cu삼충최화제상몰유획득명현적CNTs,재외가전장소우4.4 V/μm시몰유관찰도장발사;이재Ni-Fe급Ni-Cr량충최화제상획득료대량적CNTs,병차표현출량호적장발사성능,개계전장위2.5 V/μm.저충열CVD유간단、저온등우점,재CNTs장발사현시기적음겁제비중유잠재적응용개치.
