微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2010年
4期
607-611
,共5页
近似LRU算法%组相联%高速缓存%位复用%命中率
近似LRU算法%組相聯%高速緩存%位複用%命中率
근사LRU산법%조상련%고속완존%위복용%명중솔
提出并实现了4-way组相联高速缓存设计[1]中能够减少电路复杂性、节省Valid RAM空间的5-bit位复用近似LRU算法,其基本方法是通过位比较对4-way数据访问先后进行排序、对Valid位和比较位进行复用.给出了不命中时的替换选择电路逻辑和通过VHDL实现后的测试结果.相关结果表明,该算法实现电路简单,占用面积小,且命中率高:在指令高速缓存设计中,高速缓存大小为1 kB时,测试的平均命中率为90.2%,4 kB时为92.3%,16 kB时为94.2%.
提齣併實現瞭4-way組相聯高速緩存設計[1]中能夠減少電路複雜性、節省Valid RAM空間的5-bit位複用近似LRU算法,其基本方法是通過位比較對4-way數據訪問先後進行排序、對Valid位和比較位進行複用.給齣瞭不命中時的替換選擇電路邏輯和通過VHDL實現後的測試結果.相關結果錶明,該算法實現電路簡單,佔用麵積小,且命中率高:在指令高速緩存設計中,高速緩存大小為1 kB時,測試的平均命中率為90.2%,4 kB時為92.3%,16 kB時為94.2%.
제출병실현료4-way조상련고속완존설계[1]중능구감소전로복잡성、절성Valid RAM공간적5-bit위복용근사LRU산법,기기본방법시통과위비교대4-way수거방문선후진행배서、대Valid위화비교위진행복용.급출료불명중시적체환선택전로라집화통과VHDL실현후적측시결과.상관결과표명,해산법실현전로간단,점용면적소,차명중솔고:재지령고속완존설계중,고속완존대소위1 kB시,측시적평균명중솔위90.2%,4 kB시위92.3%,16 kB시위94.2%.
