现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2010年
2期
157-159
,共3页
微电子机械系统%直接键合%杂质分布%功率器件
微電子機械繫統%直接鍵閤%雜質分佈%功率器件
미전자궤계계통%직접건합%잡질분포%공솔기건
根据硅片直接键合工艺中硅片的杂质分布与扩散规律,使用集成电路模拟软件T -SUPREM 4建立一个键合过程中杂质再扩散模型.该模型有利于MEMS和IC电路的集成化设计.使用该模型对键合热处理时的杂质再扩散进行模拟,得到了在500 ℃温度下进行键合时界面处杂质的分布曲线.结果表明,热处理1 h杂质再扩散已基本停止;键合界面处的氧化层对杂质扩散有明显的阻止作用,这有利于改善器件性能.
根據硅片直接鍵閤工藝中硅片的雜質分佈與擴散規律,使用集成電路模擬軟件T -SUPREM 4建立一箇鍵閤過程中雜質再擴散模型.該模型有利于MEMS和IC電路的集成化設計.使用該模型對鍵閤熱處理時的雜質再擴散進行模擬,得到瞭在500 ℃溫度下進行鍵閤時界麵處雜質的分佈麯線.結果錶明,熱處理1 h雜質再擴散已基本停止;鍵閤界麵處的氧化層對雜質擴散有明顯的阻止作用,這有利于改善器件性能.
근거규편직접건합공예중규편적잡질분포여확산규률,사용집성전로모의연건T -SUPREM 4건립일개건합과정중잡질재확산모형.해모형유리우MEMS화IC전로적집성화설계.사용해모형대건합열처리시적잡질재확산진행모의,득도료재500 ℃온도하진행건합시계면처잡질적분포곡선.결과표명,열처리1 h잡질재확산이기본정지;건합계면처적양화층대잡질확산유명현적조지작용,저유리우개선기건성능.
