光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2012年
1期
19-22,38
,共5页
丁虎%马忠权%赵磊%杜汇伟%杨洁%周丽丽
丁虎%馬忠權%趙磊%杜彙偉%楊潔%週麗麗
정호%마충권%조뢰%두회위%양길%주려려
a-Si∶H%椭偏%光学性能%拉曼散射%微结构
a-Si∶H%橢偏%光學性能%拉曼散射%微結構
a-Si∶H%타편%광학성능%랍만산사%미결구
为研究沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和结构的影响,通过改变沉积压强并采用射频磁控溅射制备a-Si∶H薄膜.借助椭偏仪、紫外可见分光光度计和拉曼光谱来分析薄膜的光学性能和微结构.研究发现,在较低沉积压强下薄膜的致密度得到提高,光学带隙偏小,折射率和消光系数较大,短程序和中程序得到改善,体内缺陷较少.并且椭偏拟合参数A越大,意味着薄膜的质量越好.结果表明,沉积气压确实对薄膜的微结构和光学性能具有重要影响.
為研究沉積壓彊對非晶硅薄膜光學性能和結構的影響,通過改變沉積壓彊併採用射頻磁控濺射製備a-Si∶H薄膜.藉助橢偏儀、紫外可見分光光度計和拉曼光譜來分析薄膜的光學性能和微結構.研究髮現,在較低沉積壓彊下薄膜的緻密度得到提高,光學帶隙偏小,摺射率和消光繫數較大,短程序和中程序得到改善,體內缺陷較少.併且橢偏擬閤參數A越大,意味著薄膜的質量越好.結果錶明,沉積氣壓確實對薄膜的微結構和光學性能具有重要影響.
위연구침적압강대비정규박막광학성능화결구적영향,통과개변침적압강병채용사빈자공천사제비a-Si∶H박막.차조타편의、자외가견분광광도계화랍만광보래분석박막적광학성능화미결구.연구발현,재교저침적압강하박막적치밀도득도제고,광학대극편소,절사솔화소광계수교대,단정서화중정서득도개선,체내결함교소.병차타편의합삼수A월대,의미착박막적질량월호.결과표명,침적기압학실대박막적미결구화광학성능구유중요영향.
