电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
7期
58-60
,共3页
林明通%肖田%楼均辉%陈国荣%杨云霞
林明通%肖田%樓均輝%陳國榮%楊雲霞
림명통%초전%루균휘%진국영%양운하
无机非金属材料%射频磁控溅射%BST薄膜%沉积速率%介电常数
無機非金屬材料%射頻磁控濺射%BST薄膜%沉積速率%介電常數
무궤비금속재료%사빈자공천사%BST박막%침적속솔%개전상수
采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基片上制备了约700 nm的Ba03Sr0.5TiO3(BST)薄膜.研究了溅射功率、气压、ψ[O2/(Ar+O2)]比和基片温度对εr的影响,获得各种溅射条件下的薄膜的εr为250～310.提出了较优的工艺,即本底真空1.5×10-3Pa、靶基距6.2 cm、功率300W、气压1.8Pa、ψ[O2/(Ar+O2)]为30%和衬底温度500℃,并研究了薄膜的晶相、组成和形貌.
採用射頻磁控濺射法在ITO玻璃基片上製備瞭約700 nm的Ba03Sr0.5TiO3(BST)薄膜.研究瞭濺射功率、氣壓、ψ[O2/(Ar+O2)]比和基片溫度對εr的影響,穫得各種濺射條件下的薄膜的εr為250～310.提齣瞭較優的工藝,即本底真空1.5×10-3Pa、靶基距6.2 cm、功率300W、氣壓1.8Pa、ψ[O2/(Ar+O2)]為30%和襯底溫度500℃,併研究瞭薄膜的晶相、組成和形貌.
채용사빈자공천사법재ITO파리기편상제비료약700 nm적Ba03Sr0.5TiO3(BST)박막.연구료천사공솔、기압、ψ[O2/(Ar+O2)]비화기편온도대εr적영향,획득각충천사조건하적박막적εr위250～310.제출료교우적공예,즉본저진공1.5×10-3Pa、파기거6.2 cm、공솔300W、기압1.8Pa、ψ[O2/(Ar+O2)]위30%화츤저온도500℃,병연구료박막적정상、조성화형모.
