半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
381-384
,共4页
陈晟%李志宏%张国炳%郭辉%王煜%田大宇
陳晟%李誌宏%張國炳%郭輝%王煜%田大宇
진성%리지굉%장국병%곽휘%왕욱%전대우
PECVD%碳化硅%反应离子刻蚀%电感耦合离子刻蚀%氢含量%功率
PECVD%碳化硅%反應離子刻蝕%電感耦閤離子刻蝕%氫含量%功率
PECVD%탄화규%반응리자각식%전감우합리자각식%경함량%공솔
通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.
通過對PECVD SiC進行不同條件下的反應離子刻蝕(RIE)和電感耦閤反應離子刻蝕(ICP)實驗研究,提齣瞭使用SF6和He的混閤氣體進行RIE刻蝕,併討論瞭功率和壓彊分彆對刻蝕速率的影響.進一步研究瞭SiC中H含量對于RIE刻蝕速率的影響,同時驗證ICP刻蝕過程中負載效應的存在.
통과대PECVD SiC진행불동조건하적반응리자각식(RIE)화전감우합반응리자각식(ICP)실험연구,제출료사용SF6화He적혼합기체진행RIE각식,병토론료공솔화압강분별대각식속솔적영향.진일보연구료SiC중H함량대우RIE각식속솔적영향,동시험증ICP각식과정중부재효응적존재.
