电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
4期
31-33
,共3页
电子技术%In1.95Zn0.05O3固溶体%化学共沉淀法%气敏性能
電子技術%In1.95Zn0.05O3固溶體%化學共沉澱法%氣敏性能
전자기술%In1.95Zn0.05O3고용체%화학공침정법%기민성능
用化学共沉淀和热处理法于pH 11.5～12.5时,用(NH4)2CO3作沉淀剂,制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉.研究了Zn2+掺杂量对In2O3气敏元件电导和气敏性能的影响.结果发现,ZnO与In2O3可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);In1.95Zn0.05O3气敏元件在223 ℃工作温度下,对浓度为4.5×10-7 mol/L的C2H5OH的灵敏度高达174.4,且选择性也好.
用化學共沉澱和熱處理法于pH 11.5～12.5時,用(NH4)2CO3作沉澱劑,製備瞭Zn2+摻雜的In2O3微粉.研究瞭Zn2+摻雜量對In2O3氣敏元件電導和氣敏性能的影響.結果髮現,ZnO與In2O3可形成有限固溶體In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);In1.95Zn0.05O3氣敏元件在223 ℃工作溫度下,對濃度為4.5×10-7 mol/L的C2H5OH的靈敏度高達174.4,且選擇性也好.
용화학공침정화열처리법우pH 11.5～12.5시,용(NH4)2CO3작침정제,제비료Zn2+참잡적In2O3미분.연구료Zn2+참잡량대In2O3기민원건전도화기민성능적영향.결과발현,ZnO여In2O3가형성유한고용체In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);In1.95Zn0.05O3기민원건재223 ℃공작온도하,대농도위4.5×10-7 mol/L적C2H5OH적령민도고체174.4,차선택성야호.
