核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2008年
2期
302-304
,共3页
X射线%金/硅界面%剂量增强
X射線%金/硅界麵%劑量增彊
X사선%금/규계면%제량증강
为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响,通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同的方向入射界面时在规定的区域内产生的能量沉积,进而得到剂量增强系数.
為瞭研究X射線入射方嚮對界麵劑量增彊的影響,通過建立一箇典型的金/硅界麵結構模型,採用MCNP矇卡計算程序計算50keV能量X射線以不同的方嚮入射界麵時在規定的區域內產生的能量沉積,進而得到劑量增彊繫數.
위료연구X사선입사방향대계면제량증강적영향,통과건립일개전형적금/규계면결구모형,채용MCNP몽잡계산정서계산50keV능량X사선이불동적방향입사계면시재규정적구역내산생적능량침적,진이득도제량증강계수.