半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
6期
564-568
,共5页
张滨海%钱开友%王德峻%从羽奇%赵健%范象泉%王家楫
張濱海%錢開友%王德峻%從羽奇%趙健%範象泉%王傢楫
장빈해%전개우%왕덕준%종우기%조건%범상천%왕가즙
封装%铜线键合%镀钯层%金属间化合物
封裝%銅線鍵閤%鍍鈀層%金屬間化閤物
봉장%동선건합%도파층%금속간화합물
由于Cu线热导率高、电性能好、成本低,将逐渐代替传统Au线应用于IC封装.但Cu线键合也存在Cu材料本身固有特性上的局限:易氧化、硬度高及应变强度等.表面镀Pd Cu线材料的应用则提供了一种防止Cu氧化的解决方案.然而,Cu线表面的Pd层很可能会参与到键合界面形成的行为中,带来新的问题,影响到Cu线键合的强度和可靠性.对镀Pd Cu线键合工艺中Pd的行为进行了系统的研究,使用了SEM,EDS等分析手段对cu线、烧结Cu球(FAB)、键合界面等处Pd的分布状况进行了检测,结果证明Pd的空间分布随着键合工艺的进行发生了很大的变化,同时还对产生Pd分布变化的原因进行了分析和讨论.
由于Cu線熱導率高、電性能好、成本低,將逐漸代替傳統Au線應用于IC封裝.但Cu線鍵閤也存在Cu材料本身固有特性上的跼限:易氧化、硬度高及應變彊度等.錶麵鍍Pd Cu線材料的應用則提供瞭一種防止Cu氧化的解決方案.然而,Cu線錶麵的Pd層很可能會參與到鍵閤界麵形成的行為中,帶來新的問題,影響到Cu線鍵閤的彊度和可靠性.對鍍Pd Cu線鍵閤工藝中Pd的行為進行瞭繫統的研究,使用瞭SEM,EDS等分析手段對cu線、燒結Cu毬(FAB)、鍵閤界麵等處Pd的分佈狀況進行瞭檢測,結果證明Pd的空間分佈隨著鍵閤工藝的進行髮生瞭很大的變化,同時還對產生Pd分佈變化的原因進行瞭分析和討論.
유우Cu선열도솔고、전성능호、성본저,장축점대체전통Au선응용우IC봉장.단Cu선건합야존재Cu재료본신고유특성상적국한:역양화、경도고급응변강도등.표면도Pd Cu선재료적응용칙제공료일충방지Cu양화적해결방안.연이,Cu선표면적Pd층흔가능회삼여도건합계면형성적행위중,대래신적문제,영향도Cu선건합적강도화가고성.대도Pd Cu선건합공예중Pd적행위진행료계통적연구,사용료SEM,EDS등분석수단대cu선、소결Cu구(FAB)、건합계면등처Pd적분포상황진행료검측,결과증명Pd적공간분포수착건합공예적진행발생료흔대적변화,동시환대산생Pd분포변화적원인진행료분석화토론.
