人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
3期
747-750,765
,共5页
肖虎%孟宪权%朱振华%金鹏%刘峰奇%王占国
肖虎%孟憲權%硃振華%金鵬%劉峰奇%王佔國
초호%맹헌권%주진화%금붕%류봉기%왕점국
二次退火%量子点%离子注入
二次退火%量子點%離子註入
이차퇴화%양자점%리자주입
利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210 keV,150 keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140 keV,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016 cm-2,6.2×1016 cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火.
利用離子註入法在一塊Si(001)襯底上註入瞭In+和As+,註入能量分彆為210 keV,150 keV,註入劑量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一塊Si(001)襯底上註入Ga+和Sb+,註入能量分彆為140 keV,220 keV,註入劑量分彆為8.2×1016 cm-2,6.2×1016 cm-2,然後對樣品分彆經過一次退火和二次退火處理製備齣瞭Si基量子點材料.用透射電子顯微鏡(TEM)和高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)觀察瞭退火後量子點截麵像,用PL探測量子點的光緻髮光譜,髮現經二次退火生長的量子點微晶格結構和Si襯底損傷的脩複均明顯優于一次退火.
이용리자주입법재일괴Si(001)츤저상주입료In+화As+,주입능량분별위210 keV,150 keV,주입제량6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,령일괴Si(001)츤저상주입Ga+화Sb+,주입능량분별위140 keV,220 keV,주입제량분별위8.2×1016 cm-2,6.2×1016 cm-2,연후대양품분별경과일차퇴화화이차퇴화처리제비출료Si기양자점재료.용투사전자현미경(TEM)화고분변투사전자현미경(HRTEM)관찰료퇴화후양자점절면상,용PL탐측양자점적광치발광보,발현경이차퇴화생장적양자점미정격결구화Si츤저손상적수복균명현우우일차퇴화.
