人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
3期
779-782,797
,共5页
李院平%邴丕彬%闫昕%梁兰菊%薛冬%田贵才
李院平%邴丕彬%閆昕%樑蘭菊%薛鼕%田貴纔
리원평%병비빈%염흔%량란국%설동%전귀재
三维光子晶体%平面波展开法%带隙特性
三維光子晶體%平麵波展開法%帶隙特性
삼유광자정체%평면파전개법%대극특성
应用平面波展开法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成三维光子晶体的带隙特性,通过数值模拟得到半径与晶格常数的最佳比值,计算得到不同材料对应的最大完全光子带隙,其中Ⅲ-Ⅴ族构成的三维光子晶体要普遍宽一些,Ⅳ中的Ge具有较大的完全带隙,研究结论为三维光子晶体的制作提供理论依据.
應用平麵波展開法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅵ族半導體材料構成三維光子晶體的帶隙特性,通過數值模擬得到半徑與晶格常數的最佳比值,計算得到不同材料對應的最大完全光子帶隙,其中Ⅲ-Ⅴ族構成的三維光子晶體要普遍寬一些,Ⅳ中的Ge具有較大的完全帶隙,研究結論為三維光子晶體的製作提供理論依據.
응용평면파전개법연구Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ화Ⅳ-Ⅵ족반도체재료구성삼유광자정체적대극특성,통과수치모의득도반경여정격상수적최가비치,계산득도불동재료대응적최대완전광자대극,기중Ⅲ-Ⅴ족구성적삼유광자정체요보편관일사,Ⅳ중적Ge구유교대적완전대극,연구결론위삼유광자정체적제작제공이론의거.
