真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2003年
2期
104-106
,共3页
磁控溅射%等离子体%刻蚀环%模拟磁场%利用率
磁控濺射%等離子體%刻蝕環%模擬磁場%利用率
자공천사%등리자체%각식배%모의자장%이용솔
通过在基片上直接放置一块永久磁铁来研究外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响.实验发现,外加磁场的引入改变了靶表面附近的磁场分布,因而靶的刻蚀环的位置、宽度和深度均发生了明显的变化,靶的利用率在S-S构型和S-N构型中均比无外加磁场时要高.利用空间模拟磁场成功的解释这一实验现象.在S-S构型和S-N构型中,后者靶的刻蚀深度轮廓线比较平坦,相对刻蚀深度值更大,更能有效地提高靶的利用率.
通過在基片上直接放置一塊永久磁鐵來研究外加磁場對磁控濺射靶利用率的影響.實驗髮現,外加磁場的引入改變瞭靶錶麵附近的磁場分佈,因而靶的刻蝕環的位置、寬度和深度均髮生瞭明顯的變化,靶的利用率在S-S構型和S-N構型中均比無外加磁場時要高.利用空間模擬磁場成功的解釋這一實驗現象.在S-S構型和S-N構型中,後者靶的刻蝕深度輪廓線比較平坦,相對刻蝕深度值更大,更能有效地提高靶的利用率.
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